Транзисторы ГT321 — KT340

ТИП B1-B2/Iк /мА Fт МГц Cк/Uк пф/В Cэ/Uэб пф/В Rб*Cк псек tр нс Uкэ/(Iк/Iб) В/(мА/мА) Iко мкА Uкб В Uкэ/R В/кОм Uэб В Iкм/Iкн мА/мА Pк мВт Пер Цок ГТ321А ГТ321Б ГТ321В ГТ321Г ГТ321Д ГТ321Е 20- 60/500 40-120/500 80-200/500 20- 60/500 40-120/500 80-200/500 60 60 60 60 60 60 80/10 80/10 80/10 80/10 80/10 80/10… Читать далее »

Транзисторы KT301 — ГT320

ТИП B1-B2/Iк /мА Fт МГц Cк/Uк пф/В Cэ/Uэб пф/В Rб*Cк псек tр нс Uкэ/(Iк/Iб) В/(мА/мА) Iко мкА Uкб В Uкэ/R В/кОм Uэб В Iкм/Iкн мА/мА Pк мВт Пер Цок КТ301 КТ301А КТ301Б КТ301В КТ301Г КТ301Д КТ301Е КТ301Ж 20- 60/3 40-120/3 10- 32/3 20- 60/3 10- 32/3 20- 60/3 40-120/3 110-250/3 30 30 30 30 30… Читать далее »

Транзисторы KT201 — KT219

ТИП B1-B2/Iк /мА Fт МГц Cк/Uк пф/В Cэ/Uэб пф/В Rб*Cк псек tр нс Uкэ/(Iк/Iб) В/(мА/мА) Iко мкА Uкб В Uкэ/R В/кОм Uэб В Iкм/Iкн мА/мА Pк мВт Пер Цок КТ201А КТ201Б КТ201В КТ201Г КТ201Д КТ201АМ КТ201БМ КТ201ВМ КТ201ГМ КТ201ДМ 20- 60/5 30- 90/5 30- 90/5 70-210/5 30- 90/5 20- 60/5 30- 90/5 30- 90/5 70-210/5… Читать далее »

Транзисторы 1T101 — 2T128

ТИП B1-B2/Iк /мА Fт МГц Cк/Uк пф/В Cэ/Uэб пф/В Rб*Cк псек Uкэ/(Iк/Iб) В/(мА/мА) Iко мкА Uкб В Uкэ/R В/кОм Uэб В Iкм/Iкн мА/мА Pк мВт Пер Цок 1Т101 1Т101А 1Т101Б 30-60/1 20-40/1 60-120/1 2 2 5 50/5 50/5 50/5 15 15 15 15 15 15 15/2 15/2 15/2 15 15 15 10/ 10/ 10/ 50… Читать далее »

Условные обозначения электрических параметров

Обозначение Параметр B1-B2/Iк статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером; в справочнике приводятся минимальное (B1) и максимальное (B2) значение и ток (Iк) при котором этот параметр определяется. Fт предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора. Cк/Uк емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется. Cэ/Uэ емкость… Читать далее »

Типовые области применения биполярных транзисторов большой мощности

Транзистор Назначение ГТ701 работа в усилителях мощности низкой частоты, в импульсных и ключевых схемах ГТ702 работа в усилителях мощности низкой частоты, в импульсных схемах, ключевых схемах преобразователей напряжения, в схемах управляемых регуляторов ГТ703 работа в усилителях мощности низкой частоты КТ704 для работы в импульсных модуляторах ГТ705 работа в усилителях мощности низкой частоты 2Т708 составные транзисторы… Читать далее »

Типовые области применения биполярных транзисторов средней мощности

Транзистор Назначение ГТ402 для выходных каскадов УНЧ ГТ403 для работы в схемах переключения, выходных каскадах УНЧ, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока ГТ404 для выходных каскадов УНЧ ГТ405 для выходных каскадов УНЧ КТ501 для работы в УНЧ с нормированным коэффициентом шума, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных схемах КТ502 для работы в УНЧ, операционных и дифференциальных… Читать далее »

Типовые области применения биполярных транзисторов малой мощности

Транзистор Назначение 1Т101 для работы в низкочастотных усилителях КТ104 для применения в усилителях ГТ108 для работы в усилительных и импульсных схемах ГТ109 для работы во входных каскадах усилителей низкой частоты ГТ115 усилительный элемент в радиолюбительских конструкциях ГТ116 для работы в формирователях и усилителях импульсов, мультвибраторах и других переключающих схемах КТ117 однопереходные транзисторы для применения в… Читать далее »